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IXFT66N20Q

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-268
數量：
 6984  
說明：
 MOSFET 66 Amps 200V
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IXFT66N20Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：18 ns
功率耗散：400 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：14 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-268
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.04 Ohms
漏極連續電流：66 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT66N20Q的詳細信息，包括IXFT66N20Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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