
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):480W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8600 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):150 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):13 毫歐 @ 55A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):110A(Tc)
漏源電壓(Vdss):150 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:HiPerFET?, TrenchT2?
系列:管件
品牌:IXYS
以上是IXFP110N15T2的詳細信息,包括IXFP110N15T2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!