色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRLR024ZPBF

IRLR024ZPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: D-Pak
數量：: 1008
說明：: MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRLR024ZPBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：43 ns
功率耗散：35 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.6 nC
下降時間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：100 mOhms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：16 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRLR024ZPBF的詳細信息，包括IRLR024ZPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1