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IRFIBE30GPBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3 全封裝,隔離接片
數(shù)量:
 10243  
說明:
 MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp
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IRFIBE30GPBF-TO-220-3 全封裝,隔離接片圖片

IRFIBE30GPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:82 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時(shí)間:33 ns
功率耗散:35 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220 Full-Pak
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFIBE30GPBF的詳細(xì)信息,包括IRFIBE30GPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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