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IRFHM830TR2PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-VQFN 裸露焊盤
數量:
 7164  
說明:
 MOSFET MOSFT 30V 40A 3.8mOhm
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IRFHM830TR2PBF-8-VQFN 裸露焊盤圖片

IRFHM830TR2PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數量:400
上升時間:25 ns
功率耗散:37 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:15 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :52 S
下降時間:9.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PQFN-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.8 mOhms at 10 V
漏極連續電流:40 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFHM830TR2PBF的詳細信息,包括IRFHM830TR2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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