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IRFH5302DTR2PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 PQFN(5x6)單芯片焊盤
數量:
 6579  
說明:
 MOSFET MOSFT 30V FETky 100A 2.5mOhm 26nC Qg
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IRFH5302DTR2PBF-PQFN(5x6)單芯片焊盤圖片

IRFH5302DTR2PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:20 ns
工廠包裝數量:400
上升時間:30 ns
功率耗散:3.6 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:26 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :110 S
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PQFN-8 (5x6 mm)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.5 mOhms
漏極連續電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFH5302DTR2PBF的詳細信息,包括IRFH5302DTR2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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