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IRFH5110TR2PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-PowerVDFN
數(shù)量：: 6741
說明：: MOSFET MOSFT 100V Gen 10.7 11.68mOhm 56.2nC Qg

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IRFH5110TR2PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：400
上升時(shí)間：9.6 ns
功率耗散：3.6 W
柵極電荷 Qg：48 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：286 S
下降時(shí)間：6.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PQFN
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFH5110TR2PBF的詳細(xì)信息，包括IRFH5110TR2PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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