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IRFBG30PBF

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數量：: 19276
說明：: MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET

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IRFBG30PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：89 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：25 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5 Ohms
漏極連續電流：3.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBG30PBF的詳細信息，包括IRFBG30PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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