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IRFBG30

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 2817  
說明:
 MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET
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IRFBG30-TO-220-3圖片

IRFBG30 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:89 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:25 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5 Ohms
漏極連續電流:3.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFBG30的詳細信息,包括IRFBG30廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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