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IRFBG20

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 5985  
說明:
 MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp
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IRFBG20-TO-220-3圖片

IRFBG20 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:58 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:17 ns
功率耗散:54 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:31 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):11 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFBG20的詳細信息,包括IRFBG20廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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