色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<cite id="11116"></cite><ol id="11116"></ol>

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF7811WPBF

IRF7811WPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: SOIC-8
數(shù)量：: 3079
說(shuō)明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF7811WPBF PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
上升時(shí)間：11 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：15.6 nC
下降時(shí)間：9.9 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12 mOhms
漏極連續(xù)電流：14 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7811WPBF的詳細(xì)信息，包括IRF7811WPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1