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IRF7809AVPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: SOIC-8
數量：: 2880
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC

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IRF7809AVPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：96 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：36 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：41 nC
下降時間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 mOhms
漏極連續電流：13.3 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7809AVPBF的詳細信息，包括IRF7809AVPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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