色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF6645TR1PBF

IRF6645TR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DIRECTFET? SJ
數(shù)量：: 3150
說明：: MOSFET MOSFT 100V 25A 35mOhm 14nC Qg

一、本商品被瀏覽0次.

IRF6645TR1PBF PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：5 ns
功率耗散：42 W
柵極電荷 Qg：14 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7.4 S
下降時間：5.1 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET SJ
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：28 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6645TR1PBF的詳細信息，包括IRF6645TR1PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1