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IRF6626TR1

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DirectFET? 等容 ST
數量：
 2367  
說明：
 MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
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IRF6626TR1-DirectFET? 等容 ST圖片

IRF6626TR1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：15 ns
功率耗散：2.2 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：4.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET ST
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.4 m Ohms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6626TR1的詳細信息，包括IRF6626TR1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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