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IPP80R1K2P7XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO220-3
數量：: 114
說明：: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3

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IPP80R1K2P7XKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：37W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：300 pF @ 500 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 80μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 1.7A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4.5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：800 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：CoolMOS? P7
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPP80R1K2P7XKSA1的詳細信息，包括IPP80R1K2P7XKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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