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IPD80N06S3-09

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數(shù)量：: 3960
說(shuō)明：: MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms

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IPD80N06S3-09 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD80N06S309XT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
上升時(shí)間：42 ns
功率耗散：107 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：37 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD80N06S3-09的詳細(xì)信息，包括IPD80N06S3-09廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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