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IPD70N10S3-12

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數量:
 6077  
說明:
 MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V
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IPD70N10S3-12-TO-252圖片

IPD70N10S3-12 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312XT SP000427248
典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:1
上升時間:8 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0111 Ohms
漏極連續電流:70 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD70N10S3-12的詳細信息,包括IPD70N10S3-12廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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