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IPB35N10S3L-26

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 7254  
說明:
 MOSFET MOSFET
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IPB35N10S3L-26 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26XT SP000776044
典型關閉延遲時間:18 ns
上升時間:4 ns
功率耗散:71 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:30 nC
下降時間:3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):26.3 mOhms
漏極連續電流:35 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB35N10S3L-26的詳細信息,包括IPB35N10S3L-26廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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