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FQP6N80C

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數量：: 1454
說明：: MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP6N80C PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FQP6N80C_NL
典型關閉延遲時間：47 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：65 ns
功率耗散：158 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5.4 S
下降時間：44 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.5 Ohms
漏極連續電流：5.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP6N80C的詳細信息，包括FQP6N80C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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