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FQP630

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 1323  
說(shuō)明:
 MOSFET 200V N-Channel QFET
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FQP630-TO-220-3圖片

FQP630 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:75 ns
功率耗散:78 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:64 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQP630的詳細(xì)信息,包括FQP630廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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