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FQP12N60C

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數量:
 1172  
說明:
 MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP12N60C-TO-220-3圖片

FQP12N60C PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:155 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:85 ns
功率耗散:225 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :13 S
下降時間:90 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.65 Ohms
漏極連續電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQP12N60C的詳細信息,包括FQP12N60C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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