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FQI9N08TU

廠(chǎng)家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 144
說(shuō)明：: MOSFET 80V N-Channel QFET

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FQI9N08TU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：9 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：28 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.21 Ohms
漏極連續(xù)電流：9.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI9N08TU的詳細(xì)信息，包括FQI9N08TU廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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