FQI8N60CTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 117
說明：: MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQI8N60CTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：FQI8N60CTU_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：81 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：60.5 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8.7 S
下降時(shí)間：64.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI8N60CTU的詳細(xì)信息，包括FQI8N60CTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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