FQI6N60CTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
數量：: 63
說明：: MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQI6N60CTU-TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA圖片

FQI6N60CTU PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FQI6N60CTU_NL
典型關閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：45 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.8 S
下降時間：45 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2 Ohms
漏極連續電流：5.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI6N60CTU的詳細信息，包括FQI6N60CTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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