色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDP8030L_Q

FDP8030L_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數量：: 6894
說明：: MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

一、本商品被瀏覽0次.

FDP8030L_Q PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：160 ns
上升時間：185 ns
功率耗散：187 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：170 S
下降時間：200 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0035 Ohms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP8030L_Q的詳細信息，包括FDP8030L_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1