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ES6U3T2CR

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 6-WEMT
數(shù)量:
 5958  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
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ES6U3T2CR-6-WEMT圖片

ES6U3T2CR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):800mW(Ta)
FET 功能:肖特基二極管(隔離式)
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):70 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):1.4 nC @ 5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):240 毫歐 @ 1.4A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):1.4A(Ta)
漏源電壓(Vdss):30 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是ES6U3T2CR的詳細(xì)信息,包括ES6U3T2CR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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