色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > EMH1FHAT2R

EMH1FHAT2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: EMT6
數(shù)量：: 5697
說明：: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

一、本商品被瀏覽0次.

EMH1FHAT2R PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：150mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：56 @ 5mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：22 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：22 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
產品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是EMH1FHAT2R的詳細信息，包括EMH1FHAT2R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：