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CDBJSC10650-G

廠家：: Comchip Technology
封裝：: TO-220F
數量：: 1552
說明：: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

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CDBJSC10650-G PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：TO-220F
封裝/外殼：TO-220-2 整包
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：710pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io)：10A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Comchip Technology

以上是CDBJSC10650-G的詳細信息，包括CDBJSC10650-G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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