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BUK762R4-60E,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 D2PAK
數量:
 5247  
說明:
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
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BUK762R4-60E,118-D2PAK圖片

BUK762R4-60E,118 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:800
功率耗散:357 W
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.4 mOhms
漏極連續電流:120 A
閘/源擊穿電壓:4 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是BUK762R4-60E,118的詳細信息,包括BUK762R4-60E,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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