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BSM600C12P3G201

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 486
說明：: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

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BSM600C12P3G201 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2460W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：28000 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：600A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BSM600C12P3G201的詳細(xì)信息，包括BSM600C12P3G201廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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