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BSC100N10NSF G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON
數量:
 10714  
說明:
 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
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BSC100N10NSF G-TDSON圖片

BSC100N10NSF G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGXT SP000379595
典型關閉延遲時間:26 ns
工廠包裝數量:5000
上升時間:23 ns
功率耗散:156 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:44 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :61 S, 31 S
下降時間:7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):10 mOhms
漏極連續電流:90 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSC100N10NSF G的詳細信息,包括BSC100N10NSF G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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