色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > BR93G86FVJ-3BGTE2

BR93G86FVJ-3BGTE2

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-TSSOP-BJ
數(shù)量：: 8064
說明：: IC EEPROM 16KBIT MIC WIRE 8TSSOP

一、本商品被瀏覽0次.

BR93G86FVJ-3BGTE2 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：8-TSSOP-BJ
封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 5.5V
訪問時間：-
寫周期時間 - 字，頁：5ms
時鐘頻率：3 MHz
存儲器接口：Microwire
存儲器組織：1K x 16
存儲容量：16Kb
技術(shù)：EEPROM
存儲器格式：EEPROM
存儲器類型：非易失
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BR93G86FVJ-3BGTE2的詳細信息，包括BR93G86FVJ-3BGTE2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：

MT41K512M16HA-107 IT:A

MT41K512M16HA-107:A

GD5F4GQ6RF9IGY