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APTC60AM45B1G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數量：: 1783
說明：: MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1

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APTC60AM45B1G PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：SP1
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：250W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 24.5A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：49A
漏源電壓（Vdss）：600V
FET 功能：-
配置：3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：CoolMOS?
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是APTC60AM45B1G的詳細信息，包括APTC60AM45B1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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