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A1N4007G-G

廠家：: Comchip Technology
封裝：: DO-41
數量：: 7185
說明：: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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A1N4007G-G PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：DO-41
封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：10pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 1000 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1000 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：剪切帶（CT）,帶盒（TB）
品牌：Comchip Technology

以上是A1N4007G-G的詳細信息，包括A1N4007G-G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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