Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI6543DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI6544BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 4/3.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 32/43mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI6544DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4/3.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI6544DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4/3.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI6552DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V/12V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI6562DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5/3.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI6562DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.5/3.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI6801DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9/1.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：+... | ||||||
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SI6802DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.3A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：3.3 A，電... | ||||||
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SI6803DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 2.5/2.3A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：+... | ||||||
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SI6820DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9A 1.2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6820DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9A 1.2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6821DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.7A 1.2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：1.7 A，電... | ||||||
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SI6862DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.6A 1.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6862DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.6A 1.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6866BDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6866BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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