Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SUD50N06-08H-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N06-09L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 50A 136W Logic Level | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N06-09L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N06-36-T4-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 12A 24W 36mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N10-18P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD50N10-34P-T4-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 20A 56W 34mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD50NP04-62-T4-E3 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SUD50NP04-77P-T4-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-4L-5 | 174 | MOSFET 40V 8.0A 10.8/24W 37/40mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SUD50NP04-94-T4-E3 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET 40V 8.0A 13.2/15.6W 41/53mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SUD50P04-09L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 7,869 | MOSFET 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P04-13L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 40V 60A 93.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P04-13L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 40V 60A 93.7W 13mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P04-15 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 40V 50A 100W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P04-15-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 40V 50A 100W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P04-23-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 40V 20A 45.4W 23mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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SUD50P04-34-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 20A 33.3W 34mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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SUD50P04-40P-T4-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 40V 8.0A 24W 40mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P06-15-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P06-15L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 50A 136W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P06-15L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 50A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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