色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

購(gòu)物車0種商品
IC郵購(gòu)網(wǎng)-IC電子元件采購(gòu)商城

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IRFBC40APBF參考圖片 IRFBC40APBF Vishay/Siliconix TO-220AB MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40AS參考圖片 IRFBC40AS Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40ASPBF參考圖片 IRFBC40ASPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 464 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40ASTRL參考圖片 IRFBC40ASTRL Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40ASTRLPBF參考圖片 IRFBC40ASTRLPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 800 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40ASTRRPBF參考圖片 IRFBC40ASTRRPBF Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40L參考圖片 IRFBC40L Vishay/Siliconix TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40LC參考圖片 IRFBC40LC Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40LCPBF參考圖片 IRFBC40LCPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 20,090 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
IRFBC40LCSPBF Vishay/Siliconix D2PAK MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40LPBF參考圖片 IRFBC40LPBF Vishay/Siliconix TO-262-3 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40PBF參考圖片 IRFBC40PBF Vishay/Siliconix TO-220AB 2,336 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40S參考圖片 IRFBC40S Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40SPBF參考圖片 IRFBC40SPBF Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40STRL參考圖片 IRFBC40STRL Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBC40STRLPBF參考圖片 IRFBC40STRLPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE20參考圖片 IRFBE20 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE20PBF參考圖片 IRFBE20PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 776 MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE30參考圖片 IRFBE30 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFBE30L參考圖片 IRFBE30L Vishay/Siliconix TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:800 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...

192/219 首頁(yè) 上頁(yè) [187] [188] [189] [190] [191] [192] [193] [194] [195] [196] [197] 下頁(yè) 尾頁(yè) 

IC電子元件查詢
IC郵購(gòu)網(wǎng)電子元件品質(zhì)保障

主站蜘蛛池模板: 清河县| 资中县| 来凤县| 乌兰察布市| 灵丘县| 巴林左旗| 水富县| 娄底市| 三门县| 汤阴县| 临清市| 肥乡县| 陈巴尔虎旗| 武义县| 娱乐| 方山县| 博兴县| 东乡| 奉化市| 大理市| 伽师县| 廊坊市| 黑龙江省| 普格县| 三台县| 昆山市| 黄浦区| 正宁县| 德清县| 若羌县| 兴义市| 安达市| 杭锦后旗| 应城市| 微博| 满城县| 新巴尔虎左旗| 天长市| 溧水县| 贵南县| 隆回县|