Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFBC20STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC20STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 388 | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC30A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30AL | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30ALPBF | Vishay/Siliconix | I2PAK | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 1,578 | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30AS | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30ASPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 2,275 | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30ASTRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 789 | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30ASTRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC30LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 17,381 | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC30S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC30SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC30STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 52 | MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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