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Ixys

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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看IXGX55N120A3D1參考圖片 IXGX55N120A3D1 Ixys PLUS247?-3 IGBT 晶體管 IGBT
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看IXGX60N60B2D1參考圖片 IXGX60N60B2D1 Ixys PLUS247?-3 IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:1.8 V,柵極/發射極最大電壓:20 ...
點擊查看IXGX60N60C2D1參考圖片 IXGX60N60C2D1 Ixys PLUS247?-3 IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGX72N60A3H1參考圖片 IXGX72N60A3H1 Ixys PLUS247?-3 IGBT 晶體管 75Amps 600V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,...
點擊查看IXGX72N60B3H1參考圖片 IXGX72N60B3H1 Ixys PLUS247?-3 IGBT 晶體管 72 Amps 600V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數量:30,...
點擊查看IXGX72N60C3H1參考圖片 IXGX72N60C3H1 Ixys PLUS247?-3 IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看IXGY2N120參考圖片 IXGY2N120 Ixys TO-252AA IGBT 晶體管 2 Amps 1200V 3 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發射極最大電壓:20 V...
點擊查看IXDH20N120參考圖片 IXDH20N120 Ixys TO-247AD IGBT 晶體管 20 Amps 1200V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發射極最大電壓:+/...
點擊查看IXDH20N120D1參考圖片 IXDH20N120D1 Ixys TO-247AD 264 IGBT 晶體管 20 Amps 1200V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發射極最大電壓:+/...
點擊查看IXDH30N120參考圖片 IXDH30N120 Ixys TO-247AD IGBT 晶體管 30 Amps 1200V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發射極最大電壓:+/...
點擊查看IXDH30N120D1參考圖片 IXDH30N120D1 Ixys TO-247AD 22 IGBT 晶體管 30 Amps 1200V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發射極最大電壓:+/...
點擊查看IXDH35N60B參考圖片 IXDH35N60B Ixys TO-247AD IGBT 晶體管 35 Amps 600V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.1 V,柵極/發射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXDH35N60BD1參考圖片 IXDH35N60BD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶體管 35 Amps 600V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.1 V,柵極/發射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXDN55N120D1參考圖片 IXDN55N120D1 Ixys SOT-227B IGBT 晶體管 55 Amps 1200V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.3 V,...
點擊查看IXDN75N120參考圖片 IXDN75N120 Ixys SOT-227B 59 IGBT 晶體管 75 Amps 1200V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.2 V,...
點擊查看MMIX4B20N300參考圖片 MMIX4B20N300 IXYS 24-SMPD 20 IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
參數:IXYS|管件|BIMOSFET?|在售|-|全橋|3000 V|34 A|150 W|3.2V @ 15V,20A|-|-|標準|無|-55°C ~ 150°...
MMIX4G20N250 IXYS 24-SMPD IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
參數:IXYS|管件|-|在售|-|半橋|2500 V|23 A|100 W|3.1V @ 15V,20A|10 μA|1.19 nF @ 15 V|標準|無|-55...
MMIX4B22N300 IXYS 24-SMPD IGBT TRANS 3000V 38A
參數:IXYS|管件|BIMOSFET?|在售|-|全橋|3000 V|38 A|150 W|2.7V @ 15V, 22A|35 μA|2.2 nF @ 25 V|...
IXA20PG1200DHG-TRR IXYS ISOPLUS-SMPD?.B IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
參數:IXYS|卷帶(TR)|-|在售|PT|半橋|1200 V|32 A|130 W|2.1V @ 15V,15A|125 μA|-|標準|無|-55°C ~ 15...
IXA40RG1200DHG-TRR IXYS ISOPLUS-SMPD?.B IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
參數:IXYS|卷帶(TR)|ISOPLUS?|在售|PT|半橋|1200 V|63 A|230 W|2.15V @ 15V,35A|150 μA|-|標準|無|-5...

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