【圖】MOS管(場效應晶體管)放大電路及原理
(2023/12/2 7:00:00)
MOS管(場效應晶體管)放大電路及原理
場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據場效應管兩大類型--結型場效應管和絕緣柵場效應管可構成相應的場效應管放大器。以下以結型管為例給出三種基本組態放大器的等效電路和性能指標計算表達式，見表5.2-7。圖為場效應管具有與晶體管類似的正向受控作用，它也可構成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。
因為不同類型的場效應管工作在放大區，要求柵極電壓極性不同，例如，結型場效應管要求柵源與漏源電壓極性相反，而增加型MOS管則要求柵源與漏源電壓極性相同，至于耗盡型MOS管的柵偏壓極性，可以正偏、零偏或負偏。根據這些特點，來用單電源的偏置電路主要有以下兩種：
MOS管(場效應晶體管)放大電路及原理
場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據場效應管兩大類型--結型場效應管和絕緣柵場效應管可構成相應的場效應管放大器。以下以結型管為例給出三種基本組態放大器的等效電路和性能指標計算表達式，見表5.2-7。圖為場效應管具有與晶體管類似的正向受控作用，它也可構成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。
1、偏置電路
因為不同類型的場效應管工作在放大區，要求柵極電壓極性不同，例如，結型場效應管要求柵源與漏源電壓極性相反，而增加型MOS管則要求柵源與漏源電壓極性相同，至于耗盡型MOS管的柵偏壓極性，可以正偏、零偏或負偏。根據這些特點，來用單電源的偏置電路主要有以下兩種：
（1）自偏壓電路 自偏壓用于結型和耗盡型MOS管放大電路，圖5.2-6示出N溝道結型場效應管自偏電路。
圖5.2-6 自偏壓電路
柵源電壓為UGS=RID
（2）混合偏置電路 混合偏置電路用于各種場效應管放大器。N溝道增強型MOS管放大電路混合偏置電路如圖5.2-7所示。
圖5.2-7 混合偏壓電路
2、場效應晶體管三種基本組態放大器的等效電路與性能指標計算公式（見表5.2-7）
柵源電壓為
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