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VMOSFET特性及優(yōu)點(diǎn)總結(jié)
VMOSFET特性及優(yōu)點(diǎn)總結(jié)

【 l ］高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)電流

【 2 ］開關(guān)速度快、高頻特性好

【 3 ］負(fù)電流溫度系數(shù)、無(wú)熱惡性循環(huán)，熱穩(wěn)定型優(yōu)良請(qǐng)看下面的示意圖：



VMOS管的負(fù)溫度系數(shù)示意圖

【 4 ］安全工作區(qū)域大：因 VMOS 器件的溫度系數(shù)是負(fù)值，不存在局部熱點(diǎn)和電流集中等問題，只要合理設(shè)計(jì)偏置，可以從根本上避免二次擊穿。因此 VMOS 管的安全工作區(qū)域比 BJT 管的要大：



VMOS '' s 負(fù)溫度系數(shù)示意圖



VMOS Safe Operation Area

【 5 ］高線性化的跨導(dǎo) Gm : vMos 器件具有短溝道，當(dāng) vgs 上升到一定值后，跨導(dǎo) Gm 即為恒定值。而傳統(tǒng)的 MOS 管因?yàn)闇系篱L(zhǎng)，不容易出現(xiàn)溝道飽和效應(yīng)，所以 Id 與 vds 的平方成正比， Gm 隨 vgs 的增大而增大。請(qǐng)看下面的示意圖：



【 6 ］近乎線性的轉(zhuǎn)移特性，放大信號(hào)時(shí)失真極小：